选择二极管的基本原则包括：当需要低导通电压时，应选择锗管；如果需要较小的反向电流，则应选择硅管。若期望大导通电流，应选用面结合型的二极管；而工作频率较高时，则应选用点接触型的二极管。如果要求高的反向击穿电压，应选择硅管。若需要耐高温性能，则同样应选择硅管。二极管是一种具有两个电极的电子元件，仅允许电流沿单一方向流动。其广泛的应用包括整流功能，即通过其电流方向性实现对电流的控制。变容二极管则利用其特性作为电子可调电容器。在正常情况下，二极管的电流方向性表现为“整流”功能，即在正向偏置时，允许电流通过；而在反向偏置时，则阻断电流。这可以被形象地理解为电子版的逆止阀。早期的二极管形式多样，包括“猫须晶体”以及真空管。现今，大多数二极管都是由半导体材料如硅或锗制成的晶体二极管。这些二极管内部有一个PN结，两侧分别连接p型半导体和n型半导体。在PN结界面两侧形成的空间电荷层，建立了自建电场。在无外加电压时，由于载流子浓度差引起的扩散电流与自建电场引起的漂移电流相等，二极管处于电平衡状态。当外加正向电压时，外界电场与自建电场相互抵消，导致扩散电流增加，从而产生正向电流。反向电压时，外界电场和自建电场加强，形成反向饱和电流。当反向电压过高时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值，引发载流子倍增，产生大量电子空穴对，形成反向击穿电流。二极管的反向击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿两种。