原理，反应气体。1、原理：ICP刻蚀采用了电容耦合等离子体术，在加大功率的情况下生成高能离子碰撞物质表面进行刻蚀，而RIE刻蚀则是通过射频电磁场产生的等离子体与反应气体进行反应刻蚀。2、反应气体：ICP刻蚀常使用氟化物等气体作为反应气体，可以产生较高的刻蚀速率，而RIE刻蚀则会加入较大比例的惰性气体，如氩气，以稀释反应气体并降低电离程度，从而实现更精确的控制。