原理有开关过程中的漏电流、晶体管开关过程中的反向恢复时间等。1、开关过程中的漏电流：在IGBT模块工作时，如果开关速度足够快，会产生大量瞬态漏电流，并在导通状态下引入大量电荷，这些电荷需要被重新收集或放散，从而形成了吸收电容效应。2、晶体管开关过程中的反向恢复时间：IGBT模块的晶体管由PN结组成，在开关过程中，当晶体管从导通状态转变为截止状态时，PN结产生额外的电荷和电场效应，这会导致反向恢复时间延长，产生额外的吸收电容。