HBM代表高带宽内存（HighBandwidthMemory），它是一种采用3D堆叠技术的DRAM内存芯片接口。这种技术能显著提高数据传输速度，特别是在人工智能（AI）应用快速增长的推动下，第三代HBM的价格出现了大幅上涨。AI服务器对DRAM的需求是常规服务器的8倍，这一需求激增拉动了DRAM市场的快速增长。HBM技术解决了内存容量和带宽的瓶颈问题，被广泛认为是新一代DRAM的解决方案。通过2.5D或3D堆叠技术，HBM将多个存储芯片和处理器芯片集成在同一封装内，从而克服了带宽限制，增加了带宽，扩大了内存容量，并降低了数据存储的延迟。随着AI对话程序在执行计算时对大容量、高速存储的需求日益增加，预计高性能存储芯片（HBM）的需求将进一步扩大。HBM产业链及相关概念股包括：1.上游原材料：GMC颗粒状环氧塑封料。由于HBM的叠层厚度较高，需要使用特殊的颗粒塑封料进行封装，全球掌握这种GMC技术的公司寥寥无几，其中两家为日系公司（S公司和R公司），而国内则有华海诚科等上市公司涉足。2.上游原材料：联瑞新材提供的GMC所需45um/20um低α球硅和未来可能需要的低α球铝，是其主要产品之一。3.封装技术：TSV（硅通孔）技术。中微公司掌握TSV技术，是HBM关键技术的提供者之一，也是TSV设备的主要供应商。TSV技术通过在硅晶圆上穿过硅基板实现硅片内部的垂直电互联，是实现2.5D、3D先进封装的关键技术之一，广泛应用于硅转接板、芯片三维堆叠等领域。