物理意义：

迁移率描述了载流子在半导体材料中的运动能力，是载流子在电场作用下的迁移速率与电场强度之比。它体现了载流子被电场推动的难易程度及速度大小，是半导体材料电学性能的重要参数。

决定因素：

1.半导体材料本身的性质：不同半导体材料的能带结构、态密度等性质不同，这直接影响载流子的迁移率。例如，某些半导体材料的晶体结构可能更利于载流子的移动，从而具有较高的迁移率。

2.温度：温度对迁移率的影响显著。随着温度的升高，热运动增强，载流子与晶格之间的碰撞频率增加，导致迁移率降低。

3.载流子类型：电子和空穴的迁移率可能不同，因为它们在半导体中的运动机制存在差异。

4.掺杂浓度：适度的掺杂可以改变半导体材料的导电性能，从而影响迁移率。过高的掺杂浓度可能导致载流子之间的相互作用增强，从而降低迁移率。

5.缺陷和杂质：半导体中的缺陷和杂质可能作为散射中心，阻碍载流子的运动，从而降低迁移率。

综上所述，迁移率描述了载流子在半导体中的运动能力，受到半导体材料本身的性质、温度、载流子类型、掺杂浓度以及缺陷和杂质等多种因素的影响。了解迁移率的物理意义及其决定因素，对于优化半导体材料的电学性能、设计高性能的半导体器件具有重要意义。