是的。斯坦福大学科学家发表的一项研究表明，碳化硅的速度非常快。研究表明，采用SiCMOSFET设计的17MHzE类逆变器，直流到射频的效率高达86%。商用碳化硅MOSFET优于GaNHEMT的特征在于：与碳化硅MOSFET的输出电容(Coss)、相关损耗(Ediss)与开关频率无关。对比发现，氮化镓HEMT的Ediss随频率的增加而增加（因为dV/dt增加），造成氮化镓在高频时性能下降。