场效应管（FET）是一种电压控制电流的半导体器件。它的主要特点是具有高输出电阻和低噪声系数，同时对温度和辐射的敏感度较低，因此在高灵敏度、低噪声电路中得到广泛应用。场效应管的分类众多，根据结构可以分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）。结型场效应管进一步细分为N沟道和P沟道两种类型。绝缘栅型场效应管主要是指金属-氧化物-半导体场效应管（MOS管）。MOS管自身又分为“耗尽型”和“增强型”两类，这两类都包括N沟道和P沟道。结型场效应管的工作原理是利用导电沟道之间的耗尽区宽度来控制电流，其输出电阻介于10^5到10^15之间；而绝缘栅型场效应管则是通过感应电荷来控制导电沟道的宽度，进而控制电流的大小，其输出阻抗非常高，因为栅极与其他电极之间是相互绝缘的。由于它在硅片上的集成度较高，因此在大规模集成电路中占据极其重要的地位。